受招標(biāo)人委托對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo)，于2023-08-02在 公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。 1、招標(biāo)條件 項(xiàng)目概況:宜興中車時代半導(dǎo)體 刻蝕設(shè)備項(xiàng)目 資金到位或資金來源落實(shí)情況:已落實(shí) 項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說明:已具備 2、招標(biāo)內(nèi)容 招標(biāo)項(xiàng)目編號:0623-2340J1110198 招標(biāo)項(xiàng)目名稱:宜興中車時代半導(dǎo)體 刻蝕設(shè)備項(xiàng)目 項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國江蘇省 招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
| 序號 | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
| 1 | 硅刻蝕設(shè)備 | 5臺 | 用于IGBT芯片制造中完成溝道截止層刻蝕（channel stop）、淺硅凹槽Indent刻蝕、多晶硅刻蝕(Gate)、氮化物/半絕緣多晶硅刻蝕（Si-pos）、頂角圓化刻蝕（TCR）等工藝的等離子刻蝕設(shè)備。詳見技術(shù)規(guī)格書 | ★本項(xiàng)目設(shè)備不分包。項(xiàng)目設(shè)備不得拆分投標(biāo)。 |
| 2 | 深硅刻蝕設(shè)備 | 2臺 | 用于IGBT芯片制造中完成深硅刻蝕工藝的等離子刻蝕設(shè)備。詳見技術(shù)規(guī)格書 | |
| 3 | 金屬干法刻蝕設(shè)備 | 4臺 | 一套刻蝕設(shè)備包含2個金屬刻蝕腔和2個去膠工藝腔。詳見技術(shù)規(guī)格書 |
3、投標(biāo)人資格要求 投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:1、投標(biāo)人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標(biāo)截止時間前36個月為有效，以合同或訂單甲方簽訂時間為準(zhǔn)）硅刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備、金屬干法刻蝕設(shè)備業(yè)績均不低于20臺。（投標(biāo)文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件） 2、投標(biāo)人如為貿(mào)易公司，必須隨投標(biāo)文件提供制造商針對本項(xiàng)目的《制造商授權(quán)書》。 是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受 未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以 4、
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